近日，鎵創(chuàng)未來半導(dǎo)體科技（晉江）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵創(chuàng)未來”）宣布完成千萬級(jí)天使輪融資，投資方涵蓋聚卓資本旗下的晉江人才科創(chuàng)基金、芯豐澤半導(dǎo)體及個(gè)人投資者。本輪資金將主要用于提升氧化鎵外延片產(chǎn)能，加速第四代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化落地進(jìn)程。

鎵創(chuàng)未來成立于2025年7月，專注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料——氧化鎵外延片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司創(chuàng)始人團(tuán)隊(duì)均擁有微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位，自2015年起便投身于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅和氧化鎵材料與器件的研究，在材料外延生長(zhǎng)、摻雜及器件制備等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)積累了近十年的經(jīng)驗(yàn)。目前，公司已具備異質(zhì)外延片的小批量生產(chǎn)能力。

氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體材料，憑借其超寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)等特性，被視為理想的功率半導(dǎo)體材料。據(jù)鎵創(chuàng)未來創(chuàng)始人介紹，氧化鎵的禁帶寬度達(dá)4.9eV，遠(yuǎn)超碳化硅的3.3eV和氮化鎵的3.4eV；其臨界擊穿電場(chǎng)高達(dá)8MV/cm，是碳化硅的三倍多；巴利加優(yōu)值達(dá)到3444，分別是氮化鎵的4倍和碳化硅的10倍。這些參數(shù)表明，氧化鎵在功率器件應(yīng)用中具有極低的導(dǎo)通損耗，功率損耗僅為碳化硅的1/7、硅的1/49，對(duì)提升能源轉(zhuǎn)換效率具有重要意義。

功率轉(zhuǎn)換效率的提升對(duì)新能源汽車、光伏逆變器等領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。同時(shí)，氧化鎵在日盲紫外波段的響應(yīng)特性填補(bǔ)了市場(chǎng)空白，并有望拓展至3000V以上的超高壓應(yīng)用場(chǎng)景。然而，氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程長(zhǎng)期面臨襯底成本高、外延供應(yīng)不足、材料性能局限等挑戰(zhàn)。例如，目前氧化鎵襯底生長(zhǎng)需使用銥坩堝，導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)2英寸氧化鎵襯底價(jià)格高達(dá)2萬元左右，是同尺寸碳化硅價(jià)格的40余倍，嚴(yán)重制約了其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

在外延環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段，現(xiàn)有產(chǎn)品存在尺寸小、厚度薄、遷移率低等問題，影響了產(chǎn)品成本、集成度、耐壓可靠性及能效等指標(biāo)。氧化鎵的p型摻雜技術(shù)仍是行業(yè)公認(rèn)難題，且材料本身的熱導(dǎo)率較低，進(jìn)一步限制了其性能發(fā)揮。

為突破這些技術(shù)瓶頸，鎵創(chuàng)未來采取了兩條關(guān)鍵路徑：一是通過異質(zhì)外延技術(shù)，在碳化硅、藍(lán)寶石、硅等成熟商業(yè)化襯底上生長(zhǎng)氧化鎵，將材料成本降低10倍以上；二是自主研發(fā)HVPE設(shè)備，實(shí)現(xiàn)大尺寸、厚膜、高遷移率的外延片生產(chǎn)，并在寬摻雜濃度范圍等關(guān)鍵性能指標(biāo)上取得突破。

鎵創(chuàng)未來的核心產(chǎn)品包括氧化鎵同質(zhì)外延片及異質(zhì)外延片，涵蓋藍(lán)寶石基、碳化硅基和硅基氧化鎵外延片，可滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。目前，公司已與二十余家科研機(jī)構(gòu)建立合作關(guān)系，并與多家半導(dǎo)體客戶簽訂采購(gòu)合同。

在應(yīng)用場(chǎng)景方面，氧化鎵器件主要面向電力電子與光電探測(cè)兩大領(lǐng)域。在電力電子領(lǐng)域，可覆蓋新能源汽車（快充樁、OBC、主逆變器）、光伏逆變器及650V-3300V中高壓工業(yè)電源等場(chǎng)景；在光電探測(cè)領(lǐng)域，依托其日盲紫外響應(yīng)特性，可廣泛應(yīng)用于電網(wǎng)監(jiān)測(cè)、消防預(yù)警、海上搜救等場(chǎng)景。基于市場(chǎng)需求，鎵創(chuàng)未來重點(diǎn)聚焦高價(jià)值賽道：功率器件端主攻新能源汽車800V以上高壓平臺(tái)車載充電器、快充樁及AI數(shù)據(jù)中心工業(yè)電源等場(chǎng)景；光電器件端則聚焦日盲紫外探測(cè)、深紫外光源及光通信器件等應(yīng)用方向。

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)，2030年氧化鎵功率元件的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到碳化硅的36%，甚至超過氮化鎵功率元件的規(guī)模。然而，目前氧化鎵半導(dǎo)體材料仍處于從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化的早期階段，需適配研發(fā)體系與市場(chǎng)導(dǎo)入策略。鎵創(chuàng)未來采取分階段推進(jìn)策略：初期重點(diǎn)服務(wù)高校和科研院所，進(jìn)行材料研究和器件開發(fā)；后續(xù)拓展與器件設(shè)計(jì)公司和IDM廠商的深度合作，推動(dòng)產(chǎn)品在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用；最終目標(biāo)是隨著技術(shù)和市場(chǎng)的成熟，規(guī)模化進(jìn)入新能源汽車、工業(yè)電源和光伏等主流市場(chǎng)。

產(chǎn)線建設(shè)方面，鎵創(chuàng)未來一期項(xiàng)目已于2025年7月啟動(dòng)，并在晉江集成電路產(chǎn)業(yè)園落成超凈間，主要用于氧化鎵同質(zhì)和異質(zhì)外延產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，為后續(xù)市場(chǎng)拓展提供產(chǎn)能保障。