媒體CNBC近日發布報道，深入探訪了英特爾位于美國亞利桑那州錢德勒的Fab 52工廠，揭示了這家芯片巨頭在與臺積電爭奪全球先進制程主導權過程中取得的顯著進展。據行業分析，Fab 52在占地面積和設備配置上均超越了臺積電在該州的Fab 21一期及在建二期設施，展現出強大的競爭力。
Fab 52工廠已部署四臺ASML Twinscan NXE系列Low-NA EUV光刻機，其中至少包含一臺NXE:3800E系統——這是ASML目前最高端的Low-NA機型。該設備融合了下一代High-NA光刻機的晶圓處理程序和光源技術，在30 mJ/cm2劑量下，每小時可處理多達220片晶圓。工廠還配備了三臺NXE:3600D系統，其處理速度為每小時160片晶圓。英特爾在Ocotillo園區規劃了至少15臺EUV光刻機的安裝空間，為未來引入更先進的設備預留了充足余地。
從產能和技術節點來看，Fab 52的優勢尤為突出。臺積電Fab 21一期主要生產N4和N5工藝芯片，單模塊月產能約為20000片晶圓。而英特爾Fab 52專注于更先進的18A（1.8nm及以下）制程，月產能預計超過40000片，是臺積電的兩倍。即便臺積電二期工廠具備N3能力，英特爾在制程代際和總吞吐量上仍將保持領先或持平。考慮到18A工藝的復雜性遠超N4，英特爾在實現這一產能規模背后，實際上承擔了更高的技術難度與制造工作量。
然而，報道也指出，盡管硬件參數亮眼，英特爾在生產節奏上面臨挑戰。Fab 52目前正處于Panther Lake處理器的早期生產階段，使用的是尚未完全成熟的18A技術。英特爾預計，18A的良率要到2027年初才能達到世界級水平。在此之前，為控制成本和風險，工廠不會強行拉滿產量，這意味著部分昂貴的產能將暫時閑置。相比之下，臺積電在美國采用的是已驗證過的成熟工藝，能夠迅速實現近100%的產能利用率。這場“先進性”與“成熟度”的博弈，將成為未來三年美系芯片制造的關鍵看點。
