存儲(chǔ)芯片行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)由人工智能技術(shù)深度滲透引發(fā)的劇烈震蕩。全球NAND閃存龍頭廠商閃迪在最新財(cái)報(bào)會(huì)議中宣布，將于11月起對(duì)合約價(jià)格實(shí)施高達(dá)50%的漲幅調(diào)整，此舉立即引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的連鎖反應(yīng)。公司首席執(zhí)行官David指出，當(dāng)前正遭遇由AI應(yīng)用普及催生的歷史性需求高峰，預(yù)計(jì)到2026年數(shù)據(jù)中心將取代移動(dòng)設(shè)備成為NAND閃存的最大消費(fèi)領(lǐng)域，這一轉(zhuǎn)變將重塑整個(gè)產(chǎn)業(yè)格局。

技術(shù)競(jìng)賽成為支撐漲價(jià)的核心動(dòng)能。閃迪正加速推進(jìn)基于BiCS8架構(gòu)的第四代3D NAND固態(tài)硬盤研發(fā)，該產(chǎn)品專為AI訓(xùn)練場(chǎng)景設(shè)計(jì)，具備更高存儲(chǔ)密度與能效比。目前相關(guān)產(chǎn)品已進(jìn)入超大規(guī)模云服務(wù)商的認(rèn)證階段。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，主流廠商的3D NAND堆疊層數(shù)已突破300層大關(guān)，部分實(shí)驗(yàn)室原型機(jī)更達(dá)到500層水平，業(yè)內(nèi)預(yù)測(cè)到2030年將實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的突破性進(jìn)展。這種技術(shù)躍遷直接推高了生產(chǎn)成本，成為價(jià)格上調(diào)的重要依據(jù)。

供應(yīng)鏈震動(dòng)迅速傳導(dǎo)至終端市場(chǎng)。創(chuàng)見(jiàn)、宜鼎國(guó)際、宇瞻科技等存儲(chǔ)模組廠商集體采取防御性策略，創(chuàng)見(jiàn)自11月7日起全面暫停報(bào)價(jià)與出貨，其官方聲明中"市場(chǎng)行情將持續(xù)向好"的表述，暗示后續(xù)價(jià)格存在進(jìn)一步攀升空間。這種集體停供行為反映出下游企業(yè)對(duì)成本傳導(dǎo)能力的擔(dān)憂，部分中小型模組廠已開(kāi)始尋求替代供應(yīng)商或調(diào)整產(chǎn)品組合。

結(jié)構(gòu)性供需失衡構(gòu)成漲價(jià)的根本邏輯。AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)浪潮與上游晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張滯后形成鮮明對(duì)比，這種矛盾在DRAM市場(chǎng)已率先顯現(xiàn)——三星電子十月暫停DDR5合約報(bào)價(jià)后，SK海力士、美光等巨頭迅速跟進(jìn)，導(dǎo)致內(nèi)存價(jià)格三個(gè)月內(nèi)漲幅超40%。創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)用"36年未遇的盛況"形容當(dāng)前態(tài)勢(shì)，他特別指出，在DRAM完成首輪價(jià)格修復(fù)后，NAND市場(chǎng)的漲價(jià)周期才剛剛啟動(dòng)，AI算力集群對(duì)存儲(chǔ)容量的指數(shù)級(jí)需求將成為長(zhǎng)期支撐因素。

市場(chǎng)分析師觀察到，本輪漲價(jià)呈現(xiàn)明顯的技術(shù)分層特征。企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品因直接服務(wù)于AI訓(xùn)練集群，價(jià)格彈性空間最大；消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)則因智能手機(jī)、PC需求疲軟，廠商漲價(jià)策略更為謹(jǐn)慎。這種分化態(tài)勢(shì)迫使存儲(chǔ)原廠重新評(píng)估產(chǎn)能分配，部分廠商已將20%以上的晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心專用產(chǎn)品，這種結(jié)構(gòu)性調(diào)整可能在未來(lái)兩年內(nèi)持續(xù)影響市場(chǎng)供應(yīng)格局。