近日，瑞銀發(fā)布的一份行業(yè)報告引發(fā)半導體領域關注。報告指出，中國半導體設備制造商北方華創(chuàng)在高縱橫比蝕刻技術方面可能取得關鍵突破，其90:1的高縱橫比蝕刻設備有望應用于300層以上NAND Flash閃存的生產(chǎn)環(huán)節(jié)。

隨著3D NAND技術向更高堆疊層數(shù)演進，當前行業(yè)正朝著300層以上的目標邁進。這一技術路徑類似于構(gòu)建數(shù)百層的"立體存儲大廈"，而實現(xiàn)各層互聯(lián)的關鍵設備，需要具備在微米級總厚度材料中刻蝕出數(shù)百層深、直徑僅幾十納米的垂直通道的能力。這種通道結(jié)構(gòu)需保持絕對筆直、均勻分布且互不干擾，其技術難度隨層數(shù)增加呈指數(shù)級上升——當堆疊層數(shù)突破200層時，深寬比已超過60:1，而300層以上產(chǎn)品則需達到90:1甚至向100:1邁進，這被視為半導體制造領域最具挑戰(zhàn)性的刻蝕工藝之一。

瑞銀分析認為，若北方華創(chuàng)能成功獲得國內(nèi)NAND Flash晶圓廠訂單，將打開數(shù)億至數(shù)十億美元規(guī)模的新興市場。更值得關注的是，鑒于國內(nèi)先進邏輯芯片需求持續(xù)旺盛，該公司在相關領域的設備收入存在進一步增長空間?；诩夹g突破預期，瑞銀已將其2026年和2027年晶圓廠設備（WFE）收入預測分別上調(diào)1%和8%。

在半導體設備國產(chǎn)化進程中，另一家龍頭企業(yè)中微公司此前已宣布突破存儲領域高深寬比刻蝕技術，其設備已實現(xiàn)90:1深孔刻蝕能力，并正在向100:1的更高標準發(fā)起沖擊。這種技術競賽態(tài)勢，折射出中國半導體設備制造商在關鍵工藝環(huán)節(jié)的集體突破趨勢。

當前3D NAND技術發(fā)展呈現(xiàn)兩大特征：一方面堆疊層數(shù)持續(xù)攀升，另一方面單層厚度不斷壓縮。這種"縱向增高"與"橫向收縮"的雙重趨勢，對刻蝕設備的精度控制提出嚴苛要求。以300層產(chǎn)品為例，需要在總厚度僅數(shù)微米的材料中，刻蝕出直徑幾十納米、深度達數(shù)百微米的垂直通道，且通道間間距需精確控制在納米級，這對設備供應商的工藝控制能力構(gòu)成終極考驗。