近日，在荷蘭阿姆斯特丹舉辦的2025年OIP（開放創(chuàng)新平臺）生態(tài)系統(tǒng)論壇歐洲場活動中，臺積電分享了關于首代定制HBM內(nèi)存的技術規(guī)劃，引發(fā)行業(yè)關注。這一動向與美光首席商務官Sumit Sadana此前提出的觀點形成呼應，雙方均認為定制化HBM技術將在HBM4E世代實現(xiàn)商業(yè)化應用，臺積電將其產(chǎn)品命名為C-HBM4E。

針對HBM4世代的產(chǎn)品布局，臺積電推出了兩種差異化制程方案的基礎裸片（Base Die）。其中N12FFC+制程主要面向主流市場，而采用N5制程的方案則專注于滿足高性能計算需求。這兩種技術路徑為不同應用場景提供了靈活選擇，體現(xiàn)了臺積電在存儲芯片領域的技術深度。

在定制化HBM4E（C-HBM4E）的研發(fā)中，臺積電創(chuàng)新性地提出將內(nèi)存控制器（MC）直接集成至基礎裸片的設計理念。為實現(xiàn)這一目標，公司計劃采用更先進的N3P制程工藝，據(jù)稱該方案可使能效表現(xiàn)達到HBM3E基礎裸片的兩倍水平。同時，C-HBM4E的工作電壓將進一步優(yōu)化至0.75V，較現(xiàn)有HBM4標準降低約13%，在功耗控制方面取得突破。

這項技術革新主要針對計算芯片面積優(yōu)化需求，通過高度集成化設計減少外圍組件占用空間。行業(yè)分析師指出，隨著AI算力需求的持續(xù)增長，存儲器與計算單元的協(xié)同效率已成為制約系統(tǒng)性能的關鍵因素。臺積電的定制化方案通過制程工藝升級與架構創(chuàng)新，為下一代高帶寬存儲器提供了新的發(fā)展路徑。