臺積電在先進制程領域再傳重大進展，其2納米（2nm）制程技術將全面采用環繞柵極（GAA）晶體管架構，旨在實現性能與能效的雙重突破。這一技術轉型已引發全球半導體行業高度關注，多家頭部企業正排隊爭取合作機會，推動臺積電加速產能擴張計劃。
據行業消息，臺積電原規劃的兩座2nm晶圓廠產能在短期內被搶訂一空，為滿足市場需求，公司決定追加投資建設三座新廠，總投入規模達286億美元（約合人民幣2015.92億元）。最新產能預訂情況顯示，2026年全年的2nm芯片生產份額已被客戶提前鎖定，量產時間點預計落在當年第四季度。
在客戶構成方面，高通、聯發科、蘋果及AMD等科技巨頭均已進入合作隊列。臺積電透露，到2026年底前，其2nm制程的月產能將提升至10萬片晶圓，該技術有望成為支撐公司未來業績增長的核心引擎。行業分析師指出，這一產能規模相當于同時滿足數百萬臺高端智能設備的芯片需求。
技術層面，GAA架構通過納米片堆疊設計顯著增強了電流控制能力，同時有效降低漏電現象。對比前代FinFET技術，2nm制程在相同功耗下可實現10%-15%的性能提升，或在維持性能不變時降低25%-30%的能耗。這種能效比優化對移動設備、數據中心等對功耗敏感的領域具有戰略意義。
值得關注的是，競爭對手三星雖已率先啟動2nm GAA量產，但其公開的性能數據較3nm節點提升有限。業內普遍認為，這主要受制于當前良品率尚未達到理想水平，后續仍需通過工藝優化逐步改善。這種技術差距為臺積電提供了市場切入機會。
面對技術挑戰，臺積電選擇優先保障制程質量而非單純追求時間優勢。公司計劃將2026年資本支出提升至480億至500億美元（約合人民幣3383.36億至3524.33億元），創下歷史新高。這筆投資除用于2nm產能擴張外，還將覆蓋先進封裝、材料研發等配套領域，構建完整的技術生態體系。
