日本大日本印刷（DNP）近日宣布，在納米壓印光刻（NIL）技術領域取得重大突破，成功研發出線寬僅10納米的NIL圖案化模板。這一成果將直接推動1.4納米級邏輯芯片及NAND閃存芯片的制造進程，為半導體行業提供更高效的解決方案。
DNP在NIL技術領域深耕超過二十年，其最新一代模板融合了光掩模制造與晶圓加工兩大核心工藝的專業知識。通過采用自對準雙重圖案化（SADP）的“套刻”技術，該方案在初始圖案基礎上疊加薄膜沉積與蝕刻工藝，使線條密度實現翻倍增長。這種創新方法有效突破了傳統光刻技術的物理極限，為更高精度芯片制造開辟了新路徑。
相較于傳統光刻機的曝光工藝，DNP的NIL技術能耗顯著降低，僅為前者的十分之一。這一優勢在半導體制造環節具有重要戰略意義，既能減少碳排放，又能降低生產成本。目前，DNP正與多家半導體制造商展開深度技術對接，計劃于2027年啟動規模化量產，首批產品將優先應用于先進邏輯芯片和存儲芯片領域。
行業分析指出，隨著摩爾定律逼近物理極限，NIL技術因其低成本、高精度的特性，正成為下一代半導體制造的關鍵候選方案。DNP此次突破不僅鞏固了其在納米壓印領域的領先地位，更為全球半導體產業鏈提供了新的技術選項，尤其在先進制程芯片制造環節具有潛在顛覆性影響。
