據韓媒The Elec披露，三星電子計劃在即將召開的國際固態電路會議（ISSCC）上展示其最新研發的HBM4存儲芯片。這場行業盛會將于明年2月15日至19日在美國舊金山舉行，匯聚全球頂尖企業研究人員，預計將見證多項接近量產的前沿技術首次亮相。
三星此次展示的HBM4芯片在性能指標上實現突破性提升。該產品采用36GB容量設計，帶寬達到3.3TB/s，較上月公布的同容量版本帶寬提升近40%。技術團隊通過優化堆疊結構與接口設計，在提升運算速度的同時顯著增強了能效表現。特別針對人工智能大模型等高數據流量場景，研發團隊在每個數據通道引入硅通孔（TSV）路徑的對準信號（TDQS）自動校準技術，有效提高了高速傳輸時的信號精準度。
在存儲芯片領域，三星的主要競爭對手SK海力士也將在此次大會上公布多項重要進展。該公司計劃同步展示單Pin速率達14.4Gb/s的LPDDR6內存芯片，該產品采用基于低壓差穩壓器（LDO）的WCK時鐘分配架構，即使在超高速運行狀態下仍能維持信號穩定性，相比前代LPDDR5X性能提升顯著。
另一款備受矚目的展品是SK海力士研發的GDDR7顯存芯片。這款產品單Pin速度最高可達48Gb/s，配備24Gb超大容量，其創新性在于將數據通道分割為獨立讀寫區域，可同時執行數據讀取與寫入操作。這種特性使其特別適用于圖形處理單元（GPU）、人工智能邊緣計算以及高分辨率游戲等對實時性要求極高的應用場景。
作為半導體行業的重要技術交流平臺，ISSCC參會者以企業研發人員為主，歷年來都是新技術從實驗室走向量產的關鍵轉折點。行業觀察人士指出，三星與SK海力士此次展示的技術成果，不僅反映了存儲芯片領域的最新發展方向，更預示著下一代電子設備將在運算速度與能效表現上實現質的飛躍。
