功率半導體領域近期迎來多項技術突破，英飛凌、GE Aerospace及SemiQ Inc三家企業分別在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術上取得重要進展，為電動汽車、可再生能源及工業電力等行業注入新動能。
英飛凌科技股份公司正式推出首款符合汽車電子委員會（AEC）標準的100V車規級氮化鎵晶體管系列CoolGaN? 100V G1。該系列產品已進入預量產階段，包含高壓車規級晶體管及多種雙向開關，標志著英飛凌正式進軍車規級GaN市場。據公司GaN業務線負責人Johannes Schoiswohl介紹，GaN功率器件相比傳統硅基器件具有顯著優勢：其體積更小、能效更高，且能降低系統成本。在汽車行業向48V系統轉型的過程中，基于GaN的功率轉換系統可支持線控轉向、實時底盤控制等先進功能，顯著提升駕乘體驗。該系列產品主要應用于區域控制、主DC-DC轉換器、高性能輔助系統及D類音頻放大器等領域，為車載信息娛樂系統、高級駕駛輔助系統（ADAS）和新型氣候控制系統提供高效電源解決方案。
GE Aerospace在紐約尼斯卡尤納研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET芯片。這款5毫米×5毫米的芯片提供1200V電壓和11mΩ導通電阻，具備行業領先的200°C溫度額定值。公司總裁兼總經理Kris Shepherd表示，第四代SiC MOSFET在切換速度、效率和耐用性方面實現飛躍性提升，其性能優勢使其在汽車、可再生能源、人工智能數據中心及工業電力等多個行業具有廣泛應用潛力。隨著混合動力和純電動車（HEV/BEV）平臺對先進半導體技術的需求增長，該器件有望在效率和功率密度方面帶來重大突破。
SemiQ Inc推出五款采用SOT-227封裝的高性能碳化硅模塊，導通電阻（DSon）分別為7.4mΩ、14.5mΩ和34mΩ。這些模塊集成肖特基勢場二極管（SBD），在高溫環境下開關損耗顯著低于非SBD模塊。產品面向中壓高功率轉換應用，包括電池充電器、光伏逆變器、服務器電源及儲能系統。所有模塊均通過晶圓級柵極氧化層燒入測試，電壓耐受超過1400伏，并完成800mJ雪崩測試（34mΩ模塊為330mJ）。其中，7.4mΩ型號GCMX007C120S1-E1模塊實現4.66mJ低開關損耗（3.72mJ導通/0.94mJ關斷）和593nC體二極管反向恢復電荷，結到殼熱阻范圍為0.23°C/W至0.70°C/W。作為美國碳化硅功率半導體專業企業，SemiQ Inc專注高壓場景解決方案，產品涵蓋分立器件、模塊及裸芯片格式的MOSFET和二極管。
