根據(jù)TechInsights提供的數(shù)據(jù),用于各種應(yīng)用的DRAM現(xiàn)貨價格在4月份同比僅上漲4%之后,9月份已較去年同期上漲了近兩倍。這一輪強(qiáng)勁的價格上漲,不僅反映了市場供需格局的深刻變化,更凸顯了技術(shù)創(chuàng)新在當(dāng)前行業(yè)周期中的核心價值。
2025年9月,全球半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的頂級學(xué)術(shù)會議——國際電子器件大會(IEDM)論文錄用名單正式揭曉。國內(nèi)DRAM制造龍頭長鑫科技,憑借在3D FeRAM與采用后端工藝集成的新型多層堆疊DRAM架構(gòu)上的兩項(xiàng)突破性研究成果成功入選,論文數(shù)量位居國內(nèi)企業(yè)第一。
國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM)是由IEEE主辦的微電子器件領(lǐng)域年度學(xué)術(shù)會議,始于1955年,擁有七十多年歷史。是全球半導(dǎo)體器件領(lǐng)域最頂尖的學(xué)術(shù)會議之一,被譽(yù)為該領(lǐng)域的“奧林匹克盛會”。
今年,中國內(nèi)地機(jī)構(gòu)在本屆IEDM的論文覆蓋了全部九大技術(shù)方向中的六個,不僅在入選數(shù)量上實(shí)現(xiàn)全面提升,其全球占比也同步增長,顯示出整體研究實(shí)力與影響力的持續(xù)增強(qiáng)。中國內(nèi)地機(jī)構(gòu)(含高校、科研院所及企業(yè))的入選論文共涉及本屆IEDM設(shè)置的32個關(guān)鍵技術(shù)Session,占全部Session的76.2%,研究范圍全面覆蓋先進(jìn)邏輯技術(shù)(ALT)、新興器件與計(jì)算(EDT)、存儲器技術(shù)(MT)等重要方向。
按第一作者單位統(tǒng)計(jì),北京大學(xué)以21篇入選論文領(lǐng)跑中國內(nèi)地高校與科研機(jī)構(gòu),中國科學(xué)院微電子研究所(8篇)與清華大學(xué)(6篇)緊隨其后。企業(yè)方面,長鑫科技以2篇入選論文位居首位,杭州領(lǐng)摯科技與蘇州能訊高能半導(dǎo)體各以1篇并列其后,顯示出本土企業(yè)在關(guān)鍵器件方向的初步突破。
本次長鑫科技展示的3D FeRAM方案實(shí)現(xiàn)了單片集成的堆疊式鐵電電容結(jié)構(gòu),利用鐵電材料的非易失特性,在單元層面實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)斷電保存功能,同時通過三維堆疊工藝提升了存儲密度。鐵電存儲器因其讀寫速度接近DRAM、功耗接近NAND的特性,被視為潛在的新型存儲解決方案。
在DRAM技術(shù)方向上,長鑫科技提出了可在后端工藝線(BEOL)集成的多層堆疊DRAM架構(gòu)。該技術(shù)突破了傳統(tǒng)DRAM僅能在晶圓前道工藝制造的局限,通過在后道工序中直接構(gòu)建存儲單元,實(shí)現(xiàn)了存儲陣列與邏輯電路的三維集成。這一路徑若成熟,有望為存算一體架構(gòu)和異構(gòu)集成提供新的硬件基礎(chǔ)。
長鑫科技的技術(shù)護(hù)城河源于其持續(xù)的研發(fā)投入與專利資產(chǎn)。較高的研發(fā)人員占比及13,449項(xiàng)專利的堅(jiān)實(shí)積累(位列集微咨詢《2024年中國大陸半導(dǎo)體制造企業(yè)專利榜單》第二),是長鑫突破國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)空白的關(guān)鍵。在此基礎(chǔ)上,公司對長鑫的技術(shù)和產(chǎn)品實(shí)力也頗為認(rèn)可,據(jù)公開信息,目前長鑫主要客戶包括小米、OPPO、傳音、vivo等頭部企業(yè),并服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)等高增長賽道。由于掌握DRAM這一具有大宗產(chǎn)品屬性的產(chǎn)業(yè)命脈,長鑫的本土化服務(wù)與先發(fā)優(yōu)勢,為其快速提升市場份額奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
隨著中國在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力不斷彰顯,長鑫科技為后續(xù)本土企業(yè)在半導(dǎo)體核心技術(shù)領(lǐng)域的攻堅(jiān)提供了寶貴的參考范本。
